86-13826519287‬

2SC5820WU-TL-E

  •  2SC5820WU-TL-E
  • image of 双极射频晶体管 2SC5820WU-TL-E
2SC5820WU-TL-E
双极射频晶体管
Intersil (Renesas Electronics Corporation)
SMALL SIGNAL BI
-
大部分
3100
1
: 3100

1159

$0.2600

$301.3400

获取报价信息
2SC5820WU-TL-E
瑞萨-Renesas
Silicon NPN Epitaxial High Frequency Low Noise Amplifier / Oscillator
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Intersil (Renesas Electronics Corporation)
系列-
包装大部分
产品状态ACTIVE
包装/箱SC-82A, SOT-343
安装类型Surface Mount
晶体管类型NPN
工作温度150°C (TJ)
获得17.5dB
功率 - 最大100mW
集电极电流 (Ic)(最大)35mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)4V
直流电流增益 (hFE)(最小值)@ Ic、Vce70 @ 20mA, 2V
频率-转变20GHz
噪声系数(dB Typ @ f)1.15dB @ 1.8GHz
供应商设备包CMPAK-4
关闭
询价
captcha

86-13826519287‬

点击这里给我发消息
0