| ： | AOT12N60FD |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| ： | N |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 100 |
| ： | 1 |
1000
$0.9300
$930.0000
2000
$0.8600
$1,720.0000
5000
$0.8300
$4,150.0000
10000
$0.8000
$8,000.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | TO-220-3 |
| 安装类型 | Through Hole |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 650mOhm @ 6A, 10V |
| 功耗（最大） | 278W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 4V @ 250µA |
| 供应商设备包 | TO-220 |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 漏源电压 (Vdss) | 600 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 50 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 2010 pF @ 25 V |
