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DMN3066LVT-7

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DMN3066LVT-7
单 FET、MOSFET
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
MOSFET BVDSS: 2
-
卷带式 (TR)
100
1
: 100

3000

$0.1100

$330.0000

6000

$0.1000

$600.0000

15000

$0.1000

$1,500.0000

30000

$0.0900

$2,700.0000

75000

$0.0900

$6,750.0000

获取报价信息
DMN3066LVT
达尔-Diodes
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
DMN3066LVTQ
达尔-Diodes
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C3.6A (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs67mOhm @ 2.5A, 4.5V
功耗(最大)900mW
Vgs(th)(最大值)@Id1.5V @ 250µA
供应商设备包TSOT-26
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)2.5V, 4.5V
Vgs(最大)±12V
漏源电压 (Vdss)30 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs4 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds328 pF @ 10 V
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