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DTD543XE3TL

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DTD543XE3TL
单个预偏置双极晶体管
ROHM Semiconductor
TRANS PREBIAS N
-
卷带式 (TR)
3100
: 3100

1

$0.3900

$0.3900

10

$0.3100

$3.1000

100

$0.1800

$18.0000

500

$0.1700

$85.0000

1000

$0.1200

$120.0000

3000

$0.1100

$330.0000

6000

$0.1000

$600.0000

9000

$0.0900

$810.0000

30000

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$2,700.0000

75000

$0.0800

$6,000.0000

获取报价信息
DTD543XE3
罗姆-ROHM
NPN, SOT-416, R1≠R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商ROHM Semiconductor
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱SC-75, SOT-416
安装类型Surface Mount
晶体管类型NPN - Pre-Biased + Diode
Vce 饱和度(最大值)@Ib、Ic300mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大)500nA
直流电流增益 (hFE)(最小值)@ Ic、Vce140 @ 100mA, 2V
供应商设备包EMT3
集电极电流 (Ic)(最大)500 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)12 V
功率 - 最大150 mW
频率-转变260 MHz
电阻器 - 基极 (R1)4.7 kOhms
电阻器 - 发射极基极 (R2)10 kOhms
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