: | GSFAT0600 |
---|---|
: | 单 FET、MOSFET |
: | Good Ark Semiconductor |
: | MOSFET, N-CH, S |
: | - |
: | 卷带式 (TR) |
: | 15885 |
: | 1 |
1
$0.1900
$0.1900
10
$0.1300
$1.3000
100
$0.0700
$7.0000
500
$0.0600
$30.0000
1000
$0.0400
$40.0000
2000
$0.0300
$60.0000
4000
$0.0300
$120.0000
8000
$0.0300
$240.0000
12000
$0.0300
$360.0000
28000
$0.0200
$560.0000
100000
$0.0200
$2,000.0000
200000
$0.0200
$4,000.0000
类型 | 描述 |
制造商 | Good Ark Semiconductor |
系列 | - |
包装 | 卷带式 (TR) |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | SOT-523 |
安装类型 | Surface Mount |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
场效应管类型 | N-Channel |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 300mA (Ta) |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 3Ohm @ 500mA, 10V |
功耗(最大) | 150mW (Ta) |
Vgs(th)(最大值)@Id | 2.5V @ 250µA |
供应商设备包 | SOT-523 |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 4.5V, 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
漏源电压 (Vdss) | 60 V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 0.44 nC @ 4.5 V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 50 pF @ 25 V |