| ： | IPTC026N12NM6ATMA1 |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | IR (Infineon Technologies) |
| ： | TRENCH >=100V |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 100 |
| ： | 1 |
1
$6.0500
$6.0500
10
$5.4600
$54.6000
25
$5.2100
$130.2500
100
$4.5200
$452.0000
250
$4.3200
$1,080.0000
500
$3.9400
$1,970.0000
1800
$3.4300
$6,174.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | IR (Infineon Technologies) |
| 系列 | OptiMOS™ 6 |
| 包装 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 16-PowerSOP Module |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 26A (Ta), 222A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 2.6mOhm @ 115A, 10V |
| 功耗（最大） | 3.8W (Ta), 278W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 3.6V @ 169µA |
| 供应商设备包 | PG-HDSOP-16-2 |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 8V, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 120 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 88 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 6500 pF @ 60 V |
